BSM100GB170DN2和BSM150GB170DLC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM100GB170DN2 BSM150GB170DLC BSM100GB170DLC

描述 IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)Trans IGBT Module N-CH 1700V 300A 1250000mW 7Pin 62MM TrayTrans IGBT Module N-CH 1700V 200A 960000mW 7Pin 62MM Tray

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

封装 Half Bridge2 62MM 62MM

安装方式 - Screw Screw

耗散功率 1 kW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

长度 106.4 mm - -

宽度 61.4 mm 61.4 mm -

高度 30 mm - -

封装 Half Bridge2 62MM 62MM

产品生命周期 Obsolete End of Life Not Recommended

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台