对比图
型号 ULN2801A ULN2803ADW ULN2803AN
描述 STMICROELECTRONICS ULN2801A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIPDarlington Transistor Arrays, Texas InstrumentsThis array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.### 达林顿晶体管驱动器TEXAS INSTRUMENTS ULN2803AN 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 18 18 18
封装 DIP-18 SOIC-18 DIP-18
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 500 mA - 500 mA
输出电压 50 V 50 V -
输出电流 500 mA 0.5 A -
通道数 8 8 -
针脚数 18 18 18
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2.25 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -
输入电压(Max) 5 V - 5 V
输出电压(Max) 50 V - 50 V
输出电流(Max) 500 mA - 500 mA
额定功率(Max) 2.25 W - -
直流电流增益(hFE) 1000 - -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -20 ℃ -40 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2.25 W - -
驱动器/包 - 8 8
输入电压 - 30 V -
长度 23.24 mm 11.62 mm 22.48 mm
宽度 7.1 mm 7.52 mm 6.35 mm
高度 3.676 mm 2.35 mm 4.57 mm
封装 DIP-18 SOIC-18 DIP-18
工作温度 -20℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16 2014/12/17 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -