MMBTA55LT1G和MMBTA55LT3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA55LT1G MMBTA55LT3 MPSA55G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBTA55LT1G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE驱动晶体管( PNP硅) Driver Transistors(PNP Silicon)ON SEMICONDUCTOR  MPSA55G  射频双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

频率 50 MHz - -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 225 mW - 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 100 - 150

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 1.5 W

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

长度 3.04 mm - 5.2 mm

宽度 1.4 mm - 4.19 mm

高度 1.01 mm - 5.33 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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