BSO040N03MSG和FDS8690

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO040N03MSG FDS8690 BSO040N03MSGXUMA1

描述 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8690  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SOIC-8 PG-DSO-8

额定功率 - - 1.56 W

通道数 - - 1

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0063 Ω 3.3 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 1.56 W

阈值电压 - 1.6 V 1 V

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 14.0 A 16A

上升时间 9 ns - 9 ns

输入电容(Ciss) - 1680pF @15V(Vds) 5700pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 1 W 1.56 W

下降时间 9 ns - 9 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 1.56W (Ta)

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

封装 - SOIC-8 PG-DSO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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