对比图
型号 IRFS31N20DPBF STB19NF20 STB40NF20
描述 N沟道 200V 31ASTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAKSTMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 - 1 -
耗散功率 3.1 W 90 W 160 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
上升时间 38.0 ns 22 ns 44 ns
输入电容(Ciss) 2370pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 90 W 160 W
下降时间 - 11 ns 22 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 160W (Tc)
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 31.0 A - 40.0 A
漏源极电阻 82 mΩ - 0.045 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
产品系列 IRFS31N20D - -
阈值电压 5.5 V - 3 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A - 25.0 A, 40.0 A
工作结温(Max) 150 ℃ - -
针脚数 - - 3
输入电容 - - 2.50 nF
栅电荷 - - 75.0 nC
长度 - 10.75 mm 10.4 mm
宽度 - 10.4 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99