BSO604NS2和HAT2028R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO604NS2 HAT2028R STS4DNF60L

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power SwitchingSTMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOP SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 N-CH N-CH N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 55.0 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 4A 4.00 A

额定电压(DC) 55.0 V - 60.0 V

额定电流 5.00 A - 4.00 A

通道数 2 - 2

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.045 Ω

耗散功率 2 W - 2.5 W

阈值电压 1.2 V, 1.2 V - 1.7 V

漏源击穿电压 ±55 V - 60 V

栅源击穿电压 - - ±15.0 V

上升时间 8 ns - 28 ns

输入电容(Ciss) - - 1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2 W

下降时间 8 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2000 mW

输入电容 870 pF - -

栅电荷 26.0 nC - -

封装 SO-8 SOP SOIC-8

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.25 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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