对比图
型号 IXGH40N60B2D1 IXGH48N60B3D1 STGP8NC60KD
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 25 ns 100 ns 23.5 ns
额定功率(Max) 300 W 300 W 65 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - - 3
耗散功率 - 300000 mW 65 W
耗散功率(Max) - 300000 mW 65000 mW
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm - -
高度 21.46 mm - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99