IRFZ44ESTRRPBF和STB35NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44ESTRRPBF STB35NF10T4 STB55NF06T4

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 115 W 110 W

产品系列 IRFZ44ES - -

漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 100 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A 40.0 A 50.0 A

输入电容(Ciss) 1360pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 115 W 110 W

额定电压(DC) - 100 V 60.0 V

额定电流 - 40.0 A 50.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 0.03 Ω 0.015 Ω

阈值电压 - 3 V 3 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

上升时间 - 60 ns 50 ns

下降时间 - 15 ns 15 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 115W (Tc) 110W (Tc)

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.75 mm 10.4 mm

宽度 - 10.4 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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