对比图
型号 IPP60R380C6 IRFB4310ZPBF STD15NF10T4
描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON IRFB4310ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
通道数 1 - 1
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 250 W 70 W
漏源极电压(Vds) 600 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 10.6A 127A 23.0 A
上升时间 10 ns 60 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 700pF @100V(Vds) 6860pF @50V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 83 W 250 W 70 W
下降时间 9 ns 57 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 83W (Tc) 250000 mW 70W (Tc)
额定功率 - 250 W -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0056 Ω 0.065 Ω
阈值电压 - 4 V 3 V
输入电容 - 6860 pF -
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 23.0 A
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.36 mm 10.67 mm 6.6 mm
宽度 4.57 mm 4.83 mm 6.2 mm
高度 15.95 mm 9.02 mm 2.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99