IRL8113PBF和STP95N4F3

对比图

型号 IRL8113PBF STP95N4F3 STP90N4F3

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STP95N4F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 VN沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 110 W 110 W 110 W

漏源极电压(Vds) 30 V 40 V 40 V

上升时间 38.0 ns 50 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 2840pF @15V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 110 W 110 W

下降时间 - 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 105 A - -

漏源极电阻 6 mΩ 0.0054 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

产品系列 IRL8113 - -

阈值电压 2.25 V 2 V -

连续漏极电流(Ids) 105 A 80A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源击穿电压 - 40 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99