对比图
型号 RFP30N06LE RFP50N06 SPW47N60C3
描述 30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP50N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 VINFINEON SPW47N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 650 V
额定电流 30.0 A 50.0 A 47.0 A
额定功率 - 131 W 415 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 47.0 mΩ 22 mΩ 70 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 96 W 131 W 415 W
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 50.0 A 47.0 A
上升时间 88 ns 55 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 2020pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 131 W 415 W
下降时间 40 ns 13 ns 8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 96W (Tc) 131 W 415W (Tc)
漏源击穿电压 60.0 V 60 V -
长度 10.67 mm 10.67 mm 15.9 mm
宽度 4.7 mm 4.83 mm 5.3 mm
高度 16.3 mm 9.4 mm 20.95 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99