IPD30N10S3L-34和NTE2930

对比图

型号 IPD30N10S3L-34 NTE2930

描述 INFINEON  IPD30N10S3L-34  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 VN-CH 100V 31A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) NTE Electronics

分类 MOS管分立器件

安装方式 Surface Mount -

引脚数 3 -

封装 TO-252-3 -

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.0258 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 57 W -

阈值电压 1.7 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 30A 31A

上升时间 4 ns -

输入电容(Ciss) 1976pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 57 W -

下降时间 3 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 57W (Tc) -

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.3 mm -

封装 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -