对比图
型号 FDD5690 NTD32N06T4 HUF76423D3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5690 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 2.5 V32安培， 60伏， N沟道DPAK 32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK20A ， 60V ， 0.037 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET电源MOSFETFairchild 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-252-3 TO-252 TO-251-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 30.0 A 32.0 A 20.0 A
漏源极电阻 0.023 Ω 26.0 mΩ 27.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.2 W 93.8 W 85 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 32.0 A 20.0 A
上升时间 9 ns 84.0 ns 145 ns
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
阈值电压 2.5 V - -
输入电容 1.11 nF - -
栅电荷 23.0 nC - -
输入电容(Ciss) 1110pF @25V(Vds) - 1060pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W - 85 W
下降时间 10 ns - 50 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 50W (Tc) - 85W (Tc)
封装 TO-252-3 TO-252 TO-251-3
长度 6.73 mm - 6.8 mm
宽度 6.22 mm - 2.5 mm
高度 2.39 mm - 6.3 mm
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - EAR99