BST60和NTE2429

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BST60 NTE2429 BSR33

描述 NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsSOT-89 PNP 1A80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NTE Electronics Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 1 W -

集电极最大允许电流 1A 1A -

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.3 W - -

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89

长度 4.6 mm - -

宽度 2.6 mm - -

高度 1.6 mm - -

产品生命周期 Unknown Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

HTS代码 - 85412100959 -

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