AOD4185和IPD50P04P4L-11

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOD4185 IPD50P04P4L-11 SUD50P04-15-E3

描述 -40V,-40A,P沟道MOSFETINFINEON  IPD50P04P4L-11  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 VTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3Pin(2+Tab) DPAK

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0082 Ω 0.024 Ω

极性 P-CH P-Channel -

耗散功率 62.5 W 58 W 3 W

阈值电压 - 2.2 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

漏源击穿电压 - 40 V -

连续漏极电流(Ids) 50A 50A -

上升时间 - 9 ns 380 ns

输入电容(Ciss) 2550pF @20V(Vds) 3900pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 62.5 W 58 W -

下降时间 - 39 ns 140 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) 58W (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc)

额定功率 31 W - -

长度 - 6.5 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.3 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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