SSM3J14T和SSM3J306T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SSM3J14T SSM3J306T SI2307CDS-T1-GE3

描述 SSM3J14T P沟道MOS场效应管 -30V -2.7A 0.063ohm SOT-23 marking/标记 KDL 电源管理开关 高速开关 低导通电阻 DC/DC转换SSM3J306T P沟道MOS场效应管 -30V -2.4A 225MΩ SOT-23 marking/标记 JJ9 电源管理开关 高速开关 4V驱动 低导通电阻TRANSISTOR 3500mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

安装方式 - - Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

耗散功率 - - 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

输入电容(Ciss) - - 340pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) - - 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)

极性 P-CH - -

连续漏极电流(Ids) 2.7A - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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