封装 SOT-23
封装 SOT-23
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage −30V
最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage ± 20V
最大漏极电流Id Drain Current -2.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Ron = 225 mΩ max @VGS = −4 V Ron = 117 mΩ max @VGS = −10 V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.2~-2.6V
耗散功率Pd Power dissipation 700MW
规格书PDF __
RoHS标准 RoHS Compliant
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SSM3J306T Toshiba 东芝 | 当前型号 | 当前型号 |
RSR025P03TL 罗姆半导体 | 功能相似 | SSM3J306T和RSR025P03TL的区别 |
SSM3J14T 东芝 | 功能相似 | SSM3J306T和SSM3J14T的区别 |
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix | 功能相似 | SSM3J306T和SI2307CDS-T1-GE3的区别 |