NTB6413ANG和NVD6824NLT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTB6413ANG NVD6824NLT4G NTB6413ANT4G

描述 N沟道功率MOSFET的100 V, 42 A, 28毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩN 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorN 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 28 mΩ 0.0165 Ω 0.0256 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 136 W 3.9 W 136 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 42.0 A - 42.0 A

上升时间 84 ns 55 ns 84 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 3468pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 136 W - 136 W

下降时间 71 ns 42 ns 71 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 136W (Tc) 90 W 136W (Tc)

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2.5 V 4 V

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

长度 - 6.73 mm 10.29 mm

宽度 - 6.22 mm 9.65 mm

高度 - 2.38 mm 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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