对比图
型号 FQP33N10 IXKC40N60C FDP4030L
描述 ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装N-Channel 600V 28A 95mΩ Through Hole CoolMOS Power Mosfet - ISOPLUS-220N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.052 Ω - 55 mΩ
耗散功率 127 W - 37.5 W
阈值电压 4 V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 600 V 30 V
上升时间 195 ns 5 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 1150pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 127 W - -
下降时间 110 ns 4.5 ns 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 127 W - -
通道数 - - 1
极性 - - N-CH
漏源击穿电压 - - 30 V
连续漏极电流(Ids) - - 20A
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 4.83 mm - 4.7 mm
高度 9.4 mm - 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active End of Life Unknown
包装方式 Rail, Tube Tube Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free