对比图
型号 IRFU5305PBF SPU30P06P IRFU5305
描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorIPAK P-CH 55V 31A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - -60.0 V -55.0 V
额定电流 - -30.0 A -28.0 A
极性 P-Channel P-CH P-CH
耗散功率 69 W 125W (Tc) 110W (Tc)
输入电容 - 1.53 nF -
栅电荷 - 48.0 nC -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 31A 30.0 A 31.0 A
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1535pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 125 W -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc)
产品系列 - - IRFU5305
上升时间 66 ns - 66 ns
下降时间 63 ns - 63 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 89 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.065 Ω - -
阈值电压 4 V - -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
长度 6.6 mm - -
宽度 2.3 mm - -
高度 6.1 mm - -
脚长度 9.65 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -