BSC047N08NS3G和CSD19502Q5B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC047N08NS3G CSD19502Q5B

描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19502Q5B

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PG-TDSON-8 VSON-Clip-8

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0034 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 3.2 W

阈值电压 - 2.7 V

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 18A 100A

上升时间 17 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 3600pF @40V(Vds) 4870pF @40V(Vds)

下降时间 11 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 125 W 3.1W (Ta), 195W (Tc)

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 PG-TDSON-8 VSON-Clip-8

长度 6.1 mm -

宽度 5.35 mm -

高度 1.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

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