对比图
型号 IRF530PBF IRFB4212PBF
描述 VISHAY IRF530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 160 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFB4212PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 72.5 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 90 W 60 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 160 mΩ 0.0725 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 88 W 60 W
阈值电压 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 18A
上升时间 34 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) 550pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 60 W
下降时间 24 ns 3.9 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 88000 mW 60W (Tc)
额定电压(DC) 100 V -
额定电流 14.0 A -
输入电容 670pF @25V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
长度 10.41 mm 10.66 mm
宽度 4.7 mm 4.82 mm
高度 9.01 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99