对比图
型号 IRLR120NTRLPBF IRLR120TRPBF STD6NF10T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.185Ω; ID 10A; D-Pak (TO-252AA); PD 48WTO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩSTMICROELECTRONICS STD6NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 11.0 A - 6.00 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.265 Ω 270 mΩ 0.22 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 2.5 W 30 W
阈值电压 - - 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A, 10.0 A 7.70 A 3.00 A
上升时间 35.0 ns 64 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 48 W 2.5 W 30 W
下降时间 - 27 ns 3 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 30W (Tc)
产品系列 IRLR120N - -
输入电容 440pF @25V - -
长度 6.73 mm - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 2.39 mm - 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17