对比图
型号 FDD6035AL ISL9N312AD3ST FDD8882
描述 N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsPowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
引脚数 - - 3
漏源极电阻 12.0 mΩ 20.0 mΩ 11.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.3 W 75.0 W 55 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 46.0 A 50.0 A 55.0 A
上升时间 7 ns - 82 ns
下降时间 12 ns - 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 55.0 A
输入电容 - - 1.26 nF
栅电荷 - - 22.0 nC
输入电容(Ciss) - - 1260pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 55 W
耗散功率(Max) - - 55W (Tc)
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.39 mm - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99