对比图
型号 BSC030N03LSGATMA1 FDMS7660 CSD16413Q5A
描述 INFINEON BSC030N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.5 mohm, 10 V, 1 VMOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 PowerTDFN-8
漏源极电阻 0.0025 Ω 0.0019 Ω 0.0031 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 69 W 2.5 W 3.1 W
阈值电压 1 V 1.9 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 23A 25A 100 A
上升时间 5.2 ns 9 ns 15.9 ns
输入电容(Ciss) 4300pF @15V(Vds) 5565pF @15V(Vds) 1780pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 3.1 W
下降时间 4.8 ns 7 ns 5.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 3.1W (Ta)
额定功率 69 W - -
通道数 1 - 1
针脚数 8 - -
漏源击穿电压 30 V - 25 V
长度 5.9 mm 5 mm 5.8 mm
宽度 5.15 mm 6 mm 4.9 mm
高度 1.27 mm 1.05 mm 1 mm
封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 PowerTDFN-8
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15