LM5110-3SD/NOPB和LM5110-3SDX/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM5110-3SD/NOPB LM5110-3SDX/NOPB LM5110-3SD

描述 MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器 10-WSON -40 to 125LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 10 10

封装 WDFN-10 WDFN-10 WDFN-10

电源电压(DC) - - 14.0V (max)

上升/下降时间 14ns, 12ns 14ns, 12ns 14ns, 12ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 - - 5 A

静态电流 1.00 mA 1.00 mA 1.00 mA

上升时间 25 ns 25 ns 25 ns

下降时间 25 ns 25 ns 25 ns

下降时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

上升时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

电源电压 3.5V ~ 14V 3.5V ~ 14V 3.5V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V - 14 V

电源电压(Min) 3.5 V - 3.5 V

长度 4 mm - 4 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 0.8 mm - 0.8 mm

封装 WDFN-10 WDFN-10 WDFN-10

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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