对比图
型号 IRFB4310ZPBF SPP11N80C3 HUF75545P3
描述 INFINEON IRFB4310ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 VINFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75545P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 10 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 800 V 80.0 V
额定电流 - 11.0 A 75.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0056 Ω 0.39 Ω 10 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 156 W 270 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 800 V 80 V
漏源击穿电压 100 V - 80.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 127A 11.0 A 75.0 A
上升时间 60 ns 15 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 6860pF @50V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 3750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 250 W 156 W 270 W
下降时间 57 ns 7 ns 90 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250000 mW 156 W 270W (Tc)
额定功率 250 W 156 W -
输入电容 6860 pF - -
长度 10.67 mm 10.36 mm 10.67 mm
宽度 4.83 mm 4.57 mm 4.7 mm
高度 9.02 mm 9.45 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99