70T633S10BC8和70T633S10BCI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T633S10BC8 70T633S10BCI 70V7339S133BC

描述 静态随机存取存储器 512K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAMSRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 256Pin CABGA TrayIC SRAM 9Mbit 133MHz 256CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 256 256

封装 CABGA-256 LBGA-256 LBGA-256

安装方式 - - Surface Mount

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 3.15V ~ 3.45V

长度 17 mm 17.0 mm 17 mm

宽度 17 mm 17.0 mm 17 mm

封装 CABGA-256 LBGA-256 LBGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1.4 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube, Rail Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

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