对比图
型号 BC307 BC559
描述 0.35W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.1A Ic, 120 - 800 hFE@NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Continental Device Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 - TO-92-3
额定电压(DC) - -30.0 V
额定电流 - -100 mA
极性 - PNP, P-Channel
耗散功率 - 0.5 W
增益频宽积 - 150 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
最小电流放大倍数(hFE) - 110 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 500 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃
长度 - 5.2 mm
宽度 - 4.19 mm
高度 - 5.33 mm
封装 - TO-92-3
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99