对比图
型号 STP165N10F4 STP18N55M5 FDP047N10
描述 TO-220 N-CH 100V 120ASTMICROELECTRONICS STP18N55M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 315 W 90 W 375 W
阈值电压 4 V 4 V 3.5 V
输入电容 10750 pF - -
漏源极电压(Vds) 100 V 600 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 120A - 164A
上升时间 62 ns 9.5 ns -
输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 15265pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 315 W 90 W 375 W
下降时间 106 ns 13 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 315W (Tc) 110W (Tc) 375000 mW
漏源极电阻 - 0.18 Ω 0.0039 Ω
针脚数 - 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.1 mm
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
高度 - 15.75 mm 9.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -