BD245C和BD245C-S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD245C BD245C-S

描述 NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORSSOT-93 NPN 100V 10A

数据手册 --

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 电流滤波器件双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-218-3 TO-218-3

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 10A 10A

耗散功率(Max) 3 W 80000 mW

频率 - 3 MHz

额定功率 - 80 W

耗散功率 - 80 W

最小电流放大倍数(hFE) - 4 @10A, 4V

额定功率(Max) - 3 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

封装 TO-218-3 TO-218-3

长度 - 15.2 mm

宽度 - 4.9 mm

高度 - 12.2 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

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