BD241C-S和TIP31C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD241C-S TIP31C BD241C

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 3A NPNNPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS  BD241C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 5 A, 25 hFE

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 3 MHz 3 MHz

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - - 25

额定功率(Max) 40 W 2 W 40 W

直流电流增益(hFE) - 10 25

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 2000 mW 40000 mW

集电极最大允许电流 3A - -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 3.00 A -

集电极击穿电压 - 100 V -

宽度 4.7 mm 4.83 mm 4.6 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm 10.67 mm -

高度 9.3 mm 16.51 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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