对比图
型号 IRF7205TRPBF STS5PF30L IRF7406TRPBF
描述 IRF7205TRPBF 编带P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsHEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - - 2.5 W
针脚数 - - 8
漏源极电阻 0.13 Ω 0.045 Ω 0.045 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -4.60 A 5.00 A 5.8A
上升时间 21.0 ns 35 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 870pF @10V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 1100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 - 35 ns 47 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta)
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -
额定电流 -5.30 A -5.00 A -
产品系列 IRF7205 - -
阈值电压 - 1.6 V -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.25 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -