对比图
型号 IRGBC30UD2 SGP23N60UFDTU SGP23N60UFTU
描述 IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220ABTrans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin(3+Tab) TO-220 RailIGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 23.0 A 23.0 A
耗散功率 - 100 W 100 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 100 W 100 W 100 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 100000 mW 100 W
反向恢复时间 - 60 ns -
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.7 mm
高度 - 9.4 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99