对比图
型号 IRFR120Z IRFR120ZPBF IRFR120ZTRPBF
描述 DPAK N-CH 100V 8.7AINFINEON IRFR120ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 8.70 A - -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 35W (Tc) 35 W 35 W
产品系列 IRFR120Z - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 8.70 A 8.7A 8.7A
上升时间 26.0 ns 26 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 35W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)
额定功率 - 35 W 35 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.19 Ω 0.15 Ω
阈值电压 - 4 V 4 V
下降时间 - 23 ns 23 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定功率(Max) - - 35 W
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm 6.5 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99