RRH140P03GZETB和RRH140P03TB1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RRH140P03GZETB RRH140P03TB1

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -2.5 VP沟道 30V 14A

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOP-8 SOP-8

引脚数 8 -

漏源极电阻 0.005 Ω 7.3 mΩ

耗散功率 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

输入电容(Ciss) 8000pF @10V(Vds) 8000pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 650mW (Ta) 650mW (Ta)

针脚数 8 -

极性 P-Channel -

连续漏极电流(Ids) 14A -

上升时间 80 ns -

下降时间 200 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SOP-8 SOP-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

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