对比图
描述 N沟道宽带射频功率MOSFET N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETsNXP BLF278 晶体管, 射频FET, 125 V, 18 A, 500 W, 400 MHz, 520 MHz, SOT-262A1
数据手册 ---
制造商 M/A-Com ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 晶体管MOS管晶体管
安装方式 Flange Flange Flange
引脚数 5 3 5
封装 375-04 M-244 SOT-2621
电源电压(DC) - - 50.0 V
额定电压(DC) - 125 V 125 V
额定电流 40 A 40 A 18.0 A
针脚数 - - 5
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 500000 mW 500 W
漏源极电压(Vds) - 125 V 125 V
漏源击穿电压 125V (min) 125 V 125V (min)
连续漏极电流(Ids) - 40.0 A 18.0 A
输出功率 300 W 300 W 300 W
增益 16 dB 16 dB 20.0 dB
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 200 ℃
频率 175 MHz 175 MHz -
测试电流 500 mA 500 mA -
输入电容(Ciss) 350pF @50V(Vds) 480pF @50V(Vds) -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 500000 mW 500000 mW -
额定电压 125 V 125 V -
输入电容 - 480 pF -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
封装 375-04 M-244 SOT-2621
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tray Tube Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR - -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -