SGS23N60UFDTU和STGD7NB60KT4

对比图

型号 SGS23N60UFDTU STGD7NB60KT4 SGS23N60UFD

描述 高速开关 High speed switchingN沟道600V - 7A - TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-252-3 -

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 12.0 A 7.00 A -

耗散功率 73 W 70 W -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

反向恢复时间 60 ns - -

额定功率(Max) 73 W 70 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -

耗散功率(Max) 73000 mW 70 W -

长度 10.16 mm 6.6 mm -

宽度 4.7 mm 6.2 mm -

高度 16.07 mm 2.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Not Recommended

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 - -