对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mVON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mVP沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 500 mW 730 mW 1.5 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 2.40 A 3.20 A, -3.20 A 4A
输入电容(Ciss) 1312pF @10V(Vds) 675pF @10V(Vds) 1450pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 420 mW 1.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 420mW (Ta) 1.5W (Ta)
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -
额定电流 -2.40 A -3.20 A -
额定功率 0.5 W 0.21 W -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 52 mΩ 0.07 Ω -
阈值电压 - 720 mV -
栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V -
上升时间 15 ns 12.6 ns -
下降时间 15 ns 21 ns -
输入电容 1.31 nF - -
栅电荷 12.0 nC - -
漏源击穿电压 -200 V - -
高度 0.94 mm 0.94 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.92 mm 2.9 mm -
宽度 1.4 mm 1.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
香港进出口证 - NLR NLR
ECCN代码 EAR99 EAR99 -