SD2933和SD2933W

对比图

型号 SD2933 SD2933W SD2923

描述 射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETsRF MOSFET Transistors RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管

安装方式 Screw Screw -

引脚数 5 5 -

封装 M-177 M-177 -

频率 30 MHz 30 MHz -

耗散功率 648 W 648000 mW -

漏源极电压(Vds) 125 V 125 V -

输出功率 300 W 300 W -

增益 23.5 dB 23.5 dB -

测试电流 250 mA 250 mA -

输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 1000pF @50V(Vds) -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 648000 mW 648000 mW -

额定电压 125 V 125 V -

额定电压(DC) 125 V - -

额定电流 40 A - -

极性 N-Channel - -

输入电容 1.00 nF - -

漏源击穿电压 125 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 40.0 A - -

输出功率(Max) 400 W - -

封装 M-177 M-177 -

长度 28.96 mm - -

宽度 16.13 mm - -

高度 7.11 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -