BC857CLT1G和LBC857CWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857CLT1G LBC857CWT1G SBC857CLT1G

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3三极管(晶体管) LBC857CWT1G SC-70(SOT-323) PNP Vceo=-45V Ic=-100mA HFE=420-800PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 - SC-70 SOT-23-3

频率 - - 100 MHz

针脚数 - - 3

极性 - PNP PNP

耗散功率 - - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 100mA 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 420 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 270

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 800 -

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 2.64 mm

高度 - - 1.11 mm

封装 - SC-70 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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