对比图
型号 IPB096N03LG IRLR8729PBF H7N0310LMTL-E
描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 3 -
封装 TO-263 TO-252-3 -
安装方式 - Surface Mount -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 42000 mW 55 W -
上升时间 3.2 ns 47 ns -
下降时间 2.6 ns 10 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
额定功率 - 55 W -
漏源极电压(Vds) - 30 V -
连续漏极电流(Ids) - 58A -
输入电容(Ciss) - 1350pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) - 55 W -
耗散功率(Max) - 55W (Tc) -
封装 TO-263 TO-252-3 -
长度 - 6.73 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.39 mm -
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -