对比图
描述 25A, 40V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218ON SEMICONDUCTOR TIP35CG. 射频双极晶体管其他芯片高？功率晶体管 Complementary Silicon High?Power Transistors
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 主动器件双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-247-3 TO-218-3
频率 - 3 MHz -
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 25.0 A 25.0 A
针脚数 - 3 -
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 125 W 125 W
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V 100 V
热阻 - 1℃/W (RθJC) -
集电极最大允许电流 - 25A 25A
最小电流放大倍数(hFE) - 15 @15A, 4V 15 @15A, 4V
额定功率(Max) - 125 W 125 W
直流电流增益(hFE) - 15 -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 125000 mW -
最大电流放大倍数(hFE) - - 75
长度 - 15.2 mm 15.2 mm
宽度 - 4.9 mm 4.9 mm
封装 - TO-247-3 TO-218-3
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tube Tube
最小包装 - - 30
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99