ZVP2106A和ZVP2106ASTOA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZVP2106A ZVP2106ASTOA RTR025N03TL

描述 DIODES INC.  ZVP2106A  晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 VTrans MOSFET P-CH 60V 0.28A Automotive 3Pin E-Line T/RN 沟道 1 W 30 V 133 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-92-3 E-Line-3 SOT-23-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V 30.0 V

额定电流 -280 mA -280 mA 2.50 A

漏源极电阻 4 Ω 5.00 Ω 0.092 Ω

极性 P-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 700 mW 700mW (Ta) 1 W

输入电容 100 pF 100 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 320 mA 280 mA 2.50 A

上升时间 5 ns 15.0 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 100pF @18V(Vds) 100pF @18V(Vds) 220pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW 700 mW 1 W

耗散功率(Max) 700 mW 700mW (Ta) 1W (Ta)

针脚数 3 - 3

阈值电压 3.5 V - 1.5 V

漏源击穿电压 60 V - 30.0 V

下降时间 15 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

通道数 1 - -

封装 TO-92-3 E-Line-3 SOT-23-3

长度 6.7 mm - 2.9 mm

宽度 3.7 mm - 1.6 mm

高度 1.65 mm - 0.95 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Not For New Designs

包装方式 Bulk Tape, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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