对比图
型号 IXFK25N90 STW21N90K5 IXFN39N90
描述 TO-264AA N-CH 900V 25AN沟道900 V， 0.25 I© （典型值） ， 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH⢠5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesN沟道 900V 39A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Chassis
封装 TO-264-3 TO-247-3 SOT-227-4
引脚数 - 3 -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 560 W 250 W 694W (Tc)
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 25A 18.5A 39A
输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 1645pF @100V(Vds) 9200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 560W (Tc) 250W (Tc) 694W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 330 mΩ 0.25 Ω -
漏源击穿电压 900 V - -
上升时间 35 ns 27 ns -
下降时间 24 ns 40 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
额定功率(Max) - 250 W -
封装 TO-264-3 TO-247-3 SOT-227-4
长度 19.96 mm - -
宽度 5.13 mm - -
高度 26.16 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -