对比图
型号 IXTA8N50P STB11NK50ZT4 IXTA8PN50P
描述 IXTA8N50P 管装STMICROELECTRONICS STB11NK50ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 VMOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 8.00 A 10.0 A 8.00 A
耗散功率 150 W 125 W -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 4.50 A 8.00 A
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.48 Ω -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 3.75 V -
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
上升时间 28 ns 18 ns -
输入电容(Ciss) 1050 pF 1390pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 125 W -
下降时间 23 ns 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 150W (Tc) 125W (Tc) -
栅电荷 20.0 nC - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
产品生命周期 Obsolete Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -