FDP6030L和FDP6030L_NL

对比图

型号 FDP6030L FDP6030L_NL FDP8880

描述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorN-Channel Logic Level PowerTrench&#174, MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 11.6 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 48.0 A - 54.0 A

通道数 1 - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 13 mΩ - 0.0116 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 52 W - 55 W

阈值电压 - - 2.5 V

输入电容 - - 1.24 nF

栅电荷 - - 22.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A 48A 54.0 A

上升时间 12 ns - 107 ns

输入电容(Ciss) 1250pF @15V(Vds) - 1240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 52 W - 55 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 52W (Tc) - 55W (Tc)

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

下降时间 12 ns - -

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 4.7 mm - 4.83 mm

高度 16.3 mm - 9.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99