对比图
型号 IPI100P03P3L-04 IPP100P03P3L-04 IPP80P03P4L-04
描述 的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-Transistor的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-TransistorINFINEON IPP80P03P4L-04 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - - 3
耗散功率 200W (Tc) 200 W 137 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 - 45 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 9300pF @25V(Vds) 9300pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)
下降时间 - 180 ns 40 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 137 W
极性 P-CH - P-Channel
连续漏极电流(Ids) 100A - 80A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0037 Ω
额定功率(Max) - - 137 W
长度 - 10 mm 10 mm
宽度 - 4.4 mm 4.4 mm
高度 - 15.65 mm 15.65 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17