71V416S12BEGI和71V416S12BEI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V416S12BEGI 71V416S12BEI CY7C1041DV33-10BVI

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48Pin CABGA静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 BGA CABGA-48 VFBGA-48

频率 - - 100 MHz

时钟频率 - - 100 MHz

位数 - - 16

存取时间 - 12 ns 10 ns

存取时间(Max) - 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 3 V 3 V

供电电流 - 180 mA -

长度 - 9 mm 8 mm

宽度 - 9 mm 6 mm

高度 0.85 mm 1.2 mm 0.21 mm

封装 BGA CABGA-48 VFBGA-48

厚度 - 1.20 mm -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

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