EMD9T2R和NSBC114YPDXV6T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMD9T2R NSBC114YPDXV6T1G PUMD9,165

描述 ROHM  EMD9T2R  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, EMTON SEMICONDUCTOR  NSBC114YPDXV6T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-563TSSOP NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 EMT-6 SOT-563-6 TSSOP-6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 70.0 mA 100 mA -

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 150 mW 0.5 W 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 500 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 500 mW 300 mW

额定功率 0.15 W - -

通道数 2 - -

直流电流增益(hFE) 68 - -

增益带宽 250 MHz - -

封装 EMT-6 SOT-563-6 TSSOP-6

长度 1.6 mm - -

宽度 1.2 mm - -

高度 0.5 mm - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

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